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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Comparar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3419
2489
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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