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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
2489
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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