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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2489
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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