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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1948
2036
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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