RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
12800
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1948
2036
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link