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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1948
2036
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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