RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1822
1920
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5C 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link