RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1822
2680
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Relatar um erro
×
Bug description
Source link