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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
62
Por volta de -244% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,658.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,216.7
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,658.4
17.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
688
3668
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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