RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
60
Por volta de -62% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
37
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
3448
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link