RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
60
Por volta de -88% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
32
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
2974
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link