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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
5,082.2
16.5
写入速度,GB/s
2,381.6
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2974
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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