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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
60
Por volta de -173% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
2,381.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
22
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
2611
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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