RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
33
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2987
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link