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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,303.7
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
117
Por volta de -290% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
117
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,094.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,303.7
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
2709
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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