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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
35
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1570
2271
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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