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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
12.3
11.0
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2271
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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