RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
63
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3230
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link