RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3230
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link