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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
63
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
6.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
1768
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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