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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
63
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
56
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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