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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Pontuação geral
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Pontuação geral
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Razões a considerar
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 13.2
    Valor médio nos testes
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 68
    Por volta de -143% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 1,944.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    68 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,973.0 left arrow 13.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,944.9 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    673 left arrow 1989

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparações de RAM

Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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