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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
53
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
20
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
53
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2366
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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