RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
50
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link