RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
50
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link