RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2346
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link