RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2346
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link