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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
65
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
2,063.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,063.1
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
585
2532
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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