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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,063.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
3,580.1
16.4
写入速度,GB/s
2,063.1
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
585
2532
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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