RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,063.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,063.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
585
2532
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link