RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
87
Por volta de -263% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
18.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
4114
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link