RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
87
Autour de -263% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
18.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
4114
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link