TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Pontuação geral
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    870.4 left arrow 6.8
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    39 left arrow 87
    Por volta de -123% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    7.7 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    87 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,155.6 left arrow 7.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    870.4 left arrow 6.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    417 left arrow 1768
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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