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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
87
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5.3
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
45
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
5.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
1535
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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