RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
53
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3000
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link