RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Comparar
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,042.4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
61
Por volta de -190% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,448.3
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,042.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
860
3167
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link