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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,042.4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
61
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
21
Velocità di lettura, GB/s
4,448.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,042.4
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
860
3167
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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