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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2517
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
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