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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2389
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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