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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.5
13.5
写入速度,GB/s
8.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2389
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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