RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
96
Por volta de -317% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3356
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Relatar um erro
×
Bug description
Source link