RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
96
Por volta de -317% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3169
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link