RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
96
Около -317% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3169
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link