RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
96
Por volta de -210% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2585
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link