RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
96
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3228
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link