Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Pontuação geral
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Pontuação geral
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 10.4
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 96
    Por volta de -210% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    5.3 left arrow 1,336.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    96 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,725.2 left arrow 10.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,336.0 left arrow 5.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    438 left arrow 1740
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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