RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
96
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1740
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link