RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
96
Por volta de -405% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3220
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link