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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
104
Por volta de -154% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2154
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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