RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
2361
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link